Transistor de canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Transistor de canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.42€
5-24
1.19€
25-49
1.05€
50-99
0.94€
100+
0.81€
Quantidade em estoque: 160

Transistor de canal N STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Custo): 300pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 220A. Marcação na caixa: P55NF06L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40ms. Td(ligado): 20ms. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.7V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP55NF06L
31 parâmetros
DI (T=100°C)
39A
DI (T=25°C)
55A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.016 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
1700pF
Custo)
300pF
Diodo Trr (mín.)
80 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
1uA
Id(im)
220A
Marcação na caixa
P55NF06L
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
95W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
40ms
Td(ligado)
20ms
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
16V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.7V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics