Transistor de canal N STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (dreno para tensão da fonte): 60V. DI (T=100°C): 35A. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1300pF. Características: -. Custo): 300pF. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 50A. Id(im): 200A. Informação: -. MSL: -. Marcação na caixa: P55NF06. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Polaridade: MOSFET N. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Série: -. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de condução: 10V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24