Transistor de canal N STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (min): 1uA. Id(im): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24