Transistor de canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V

Transistor de canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V

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Transistor de canal N STP36NF06L, TO-220, 21A, 30A, 30A, 60V, 0.032 Ohms, TO-220, 60V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 30A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. On-resistência Rds On: 0.032 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 660pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: trr 55ns, dv/dt eficiente. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 30A. Id(im): 60.4k Ohms. Marcação do fabricante: P36NF06L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP36NF06L
30 parâmetros
Carcaça
TO-220
DI (T=100°C)
21A
DI (T=25°C)
30A
Idss (máx.)
30A
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
60V
On-resistência Rds On
0.032 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
60V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
19 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
660pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.04 Ohms @ 15A
Dissipação máxima Ptot [W]
70W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
Função
trr 55ns, dv/dt eficiente
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
30A
Id(im)
60.4k Ohms
Marcação do fabricante
P36NF06L
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
70W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
10 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
2.5V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics