Transistor de canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor de canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.70€
5-24
1.49€
25-49
1.32€
50-99
1.15€
100+
0.93€
Quantidade em estoque: 37

Transistor de canal N STP30NF10, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1180pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 110us. IDss (min): 1uA. Id(im): 140A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Baixa carga de entrada. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP30NF10
33 parâmetros
DI (T=100°C)
25A
DI (T=25°C)
35A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.038 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1180pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
180pF
Diodo Trr (mín.)
110us
IDss (min)
1uA
Id(im)
140A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
115W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Baixa carga de entrada
Td(desligado)
45 ns
Td(ligado)
15 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão limite do diodo
1.3V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics