Transistor de canal N STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.135 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1800pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 115pF. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Função: circuitos de comutação. IDss (min): 1uA. Id(im): 80A. Marcação na caixa: 26NM60N. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Baixa capacitância de entrada e carga do portão. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 85 ns. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24