Transistor de canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor de canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.80€
5-24
1.53€
25-49
1.35€
50-99
1.22€
100+
1.06€
Quantidade em estoque: 90

Transistor de canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 26A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 870pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 125pF. Diodo Trr (mín.): 100us. Função: SWITCHING APPLICATION. IDss (min): 1uA. Id(im): 104A. Marcação na caixa: P24NF10. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Baixa carga de entrada. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão limite do diodo: 1.5V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP24NF10
35 parâmetros
DI (T=100°C)
18A
DI (T=25°C)
26A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.055 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
870pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
125pF
Diodo Trr (mín.)
100us
Função
SWITCHING APPLICATION
IDss (min)
1uA
Id(im)
104A
Marcação na caixa
P24NF10
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
85W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Baixa carga de entrada
Td(desligado)
50 ns
Td(ligado)
60 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão limite do diodo
1.5V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
50
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics