Transistor de canal N STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 12.6A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1300pF. Custo): 500pF. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Função: Baixa capacitância de porta. IDss (min): 1uA. Id(im): 80A. Marcação na caixa: P20NM60FD. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 192W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(desligado): 8 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24