Transistor de canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Transistor de canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.17€
5-24
0.97€
25-49
0.82€
50+
0.74€
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Transistor de canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 120V. C (pol.): 460pF. Custo): 70pF. Função: Baixa carga de entrada. IDss (min): 1uA. Id(im): 56A. Marcação na caixa: P14NF12. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP14NF12
27 parâmetros
DI (T=100°C)
9A
DI (T=25°C)
14A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.16 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
120V
C (pol.)
460pF
Custo)
70pF
Função
Baixa carga de entrada
IDss (min)
1uA
Id(im)
56A
Marcação na caixa
P14NF12
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
60W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
32 ns
Td(ligado)
16 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics