Transistor de canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V

Transistor de canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.12€
5-9
3.65€
10-24
3.37€
25-49
3.15€
50+
2.80€
Quantidade em estoque: 22

Transistor de canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 48A. Marcação na caixa: P12NM50FP. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP12NM50FP
30 parâmetros
DI (T=100°C)
7.5A
DI (T=25°C)
12A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.3 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
550V
C (pol.)
1000pF
Custo)
250pF
Diodo Trr (mín.)
270 ns
Função
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
IDss (min)
1uA
Id(im)
48A
Marcação na caixa
P12NM50FP
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
35W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
MDmesh Power MOSFET
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics