Transistor de canal N STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 1000pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 48A. Marcação na caixa: P12NM50. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24