Transistor de canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 77A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 10uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 5200pF. Corrente máxima de drenagem: 110A. Custo): 785pF. Diodo Trr (mín.): 152 ns. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. IDss (min): 1uA. Id(im): 440A. Marcação na caixa: P120NF10. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. Potência: 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24