Transistor de canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Transistor de canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
4.35€
5-24
3.96€
25-49
3.69€
50-99
3.46€
100+
2.94€
Quantidade em estoque: 227

Transistor de canal N STP10NK80ZFP, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.78 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2180pF. Custo): 205pF. Diodo Trr (mín.): 645 ns. Função: protegido com diodo Zener. IDss (min): 1uA. Id(im): 36A. Marcação na caixa: P10NK80ZFP. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: SuperMESH ™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STP10NK80ZFP
30 parâmetros
DI (T=100°C)
6A
DI (T=25°C)
9A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
0.78 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
2180pF
Custo)
205pF
Diodo Trr (mín.)
645 ns
Função
protegido com diodo Zener
IDss (min)
1uA
Id(im)
36A
Marcação na caixa
P10NK80ZFP
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
65 ns
Td(ligado)
30 ns
Tecnologia
SuperMESH ™Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics