Transistor de canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V
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Transistor de canal N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1370pF. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 5.7A. Custo): 156pF. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Função: Zener-Protected. IDss (min): 1uA. Id(im): 36A. Marcação na caixa: P10NK60Z. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Polaridade: unipolar. Potência: 115W. Propriedades do semicondutor: Protegido contra ESD. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 600V. Tensão de fonte de porta: ±30V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24