Transistor de canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 80V. C (pol.): 5955pF. Custo): 244pF. Diodo Trr (mín.): 38 ns. Função: circuitos de comutação. IDss (min): -. Id(im): 400A. Marcação na caixa: 100N8F6. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 176W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 103 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24