Transistor de canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Transistor de canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.84€
5-24
0.70€
25-49
0.61€
50-99
0.55€
100+
0.47€
Quantidade em estoque: 141

Transistor de canal N STN4NF20L, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 630mA. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 150pF. Custo): 30pF. IDss (min): 1uA. Id(im): 4A. Marcação na caixa: 4NF20L. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 3.3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 10.4 ns. Td(ligado): 2 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:24

Documentação técnica (PDF)
STN4NF20L
25 parâmetros
DI (T=100°C)
630mA
DI (T=25°C)
1A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
1.1 Ohms
Carcaça
SOT-223 ( TO-226 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-223
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
150pF
Custo)
30pF
IDss (min)
1uA
Id(im)
4A
Marcação na caixa
4NF20L
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
3.3W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
10.4 ns
Td(ligado)
2 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics