Transistor de canal N STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. DI (T=100°C): 3.2A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1350pF. Custo): 175pF. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Função: transistor MOSFET de potência rápida. IDss (min): 25uA. Id(im): 32A. Marcação na caixa: H8NA60FI. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Viso 4000V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: ‘Modo de aprimoramento’. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.75V. Vgs(th) mín.: 2.25V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54