Transistor de canal N STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100mA. On-resistência Rds On: 0.63 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 452pF. Custo): 30pF. Diodo Trr (mín.): 324 ns. Função: Baixa capacitância de entrada e carga do portão. IDss (min): 1mA. Id(im): 26A. Marcação na caixa: 9NM60N. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 26A. Td(desligado): 52.5 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54