Transistor de canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Transistor de canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
54.02€
5-9
50.37€
10-19
48.36€
20-39
46.38€
40+
42.20€
Quantidade em estoque: 14

Transistor de canal N STE53NC50, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Tensão Vds(máx.): 500V. Função: SMPS POWER MOSFET. Id(im): 212A. Isolamento elétrico: 2500V (AC-RMS). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(ligado): 46 ns. Tecnologia: PowerMesh II MOSFET. Temperatura operacional: -65...150°C. Tensão porta/fonte Vgs: ±30V. Tf (tipo): 38 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Tr: 70 ns. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
STE53NC50
23 parâmetros
DI (T=100°C)
33A
DI (T=25°C)
53A
Idss (máx.)
53A
On-resistência Rds On
0.07 Ohms
Carcaça
ISOTOP ( SOT227B )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
Tensão Vds(máx.)
500V
Função
SMPS POWER MOSFET
Id(im)
212A
Isolamento elétrico
2500V (AC-RMS)
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
460W
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(ligado)
46 ns
Tecnologia
PowerMesh II MOSFET
Temperatura operacional
-65...150°C
Tensão porta/fonte Vgs
±30V
Tf (tipo)
38 ns
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Tr
70 ns
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics