Transistor de canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Transistor de canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.38€
5-49
1.14€
50-99
1.03€
100+
0.93€
Quantidade em estoque: 1129

Transistor de canal N STD4NK50ZT4, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 3A. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 310pF. Custo): 49pF. Diodo Trr (mín.): 260 ns. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 12A. Marcação na caixa: D4NK50Z. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
STD4NK50ZT4
26 parâmetros
DI (T=100°C)
1.9A
DI (T=25°C)
3A
Idss
1uA
Idss (máx.)
3A
On-resistência Rds On
2.3 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( D-PAK )
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
310pF
Custo)
49pF
Diodo Trr (mín.)
260 ns
Função
HIGH Current, HIGH Speed Switching
Id(im)
12A
Marcação na caixa
D4NK50Z
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
45W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
21 ns
Td(ligado)
10 ns
Tecnologia
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics