Transistor de canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Transistor de canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.41€
5-49
1.17€
50-99
0.99€
100+
0.88€
Quantidade em estoque: 415

Transistor de canal N STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Condicionamento: rolo. Custo): 57pF. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. IDss (min): 1uA. Id(im): 10A. Marcação na caixa: D3NK80Z. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 2000. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
STD3NK80ZT4
32 parâmetros
DI (T=100°C)
1.57A
DI (T=25°C)
2.5A
Idss (máx.)
50mA
On-resistência Rds On
3.8 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
485pF
Condicionamento
rolo
Custo)
57pF
Diodo Trr (mín.)
384 ns
Função
HIGH Current, HIGH Speed Switching
IDss (min)
1uA
Id(im)
10A
Marcação na caixa
D3NK80Z
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
70W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
36ns
Td(ligado)
17 ns
Tecnologia
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
2000
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Stmicroelectronics