Transistor de canal N SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1150pF. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 415 ns. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 25uA. Id(im): 28A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Samsung. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54