Transistor de canal N SPW17N80C3, 800V, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2320pF. Corrente máxima de drenagem: 17A. Custo): 1250pF. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 51A. Marcação na caixa: 17N80C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. Potência: 208W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54