Transistor de canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V
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Transistor de canal N SPP20N60C3, TO-220, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, P-TO220-3-1, 650V. Carcaça: TO-220. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): P-TO220-3-1. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 2400pF. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: 20.7A. Custo): 780pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 62.1A. Marcação na caixa: 20N60C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. Polaridade: unipolar. Potência: 208W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 67 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 600V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54