Transistor de canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Transistor de canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.33€
5-9
4.72€
10-24
3.96€
25+
3.55€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 116

Transistor de canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 51A. Marcação na caixa: SPP17N80C2. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
SPP17N80C2
21 parâmetros
DI (T=100°C)
11A
DI (T=25°C)
17A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.25 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
800V
Função
Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt
IDss (min)
0.5uA
Id(im)
51A
Marcação na caixa
SPP17N80C2
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
208W
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
Cool Mos
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Produto original do fabricante
Infineon Technologies

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