Transistor de canal N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Transistor de canal N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.16€
5-24
2.75€
25-49
2.48€
50+
2.22€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 72

Transistor de canal N SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 30pF. Custo): 55pF. Data de produção: 2015/05. Diodo Trr (mín.): 750 ns. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 14.6A. Marcação na caixa: 07N60S5. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
SPP07N60S5
33 parâmetros
DI (T=100°C)
4.6A
DI (T=25°C)
7.3A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.54 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
30pF
Custo)
55pF
Data de produção
2015/05
Diodo Trr (mín.)
750 ns
Função
Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema
IDss (min)
0.5uA
Id(im)
14.6A
Marcação na caixa
07N60S5
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
83W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
COOL MOS TRANSISTOR
Td(desligado)
170 ns
Td(ligado)
120ns
Tecnologia
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5.5V
Vgs(th) mín.
3.5V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies

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