Transistor de canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor de canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.13€
5-49
0.93€
50-99
0.78€
100+
0.69€
Quantidade em estoque: 344

Transistor de canal N SPD28N03L, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 30A. Idss: 100uA. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 790pF. Custo): 390pF. Diodo Trr (mín.): 32 ns. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 112A. Marcação na caixa: 28N03L. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.6V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54

Documentação técnica (PDF)
SPD28N03L
27 parâmetros
DI (T=100°C)
28A
DI (T=25°C)
30A
Idss
100uA
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.023 Ohms
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
790pF
Custo)
390pF
Diodo Trr (mín.)
32 ns
Função
transistor MOSFET com portas de nível lógico
Id(im)
112A
Marcação na caixa
28N03L
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
75W
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
12 ns
Td(ligado)
13 ns
Tecnologia
SIPMOS Power Transistor
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1.6V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies