Transistor de canal N SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.093 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 215pF. Custo): 75pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 37A. Marcação na caixa: SPD09N05. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 24W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54