Transistor de canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Transistor de canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.16€
5-24
4.65€
25-49
4.25€
50-99
3.90€
100+
3.44€
Quantidade em estoque: 50

Transistor de canal N SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.25 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 560V. C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Função: Capacidade excepcional de dv/dt. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 48A. Marcação na caixa: 16N50C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

SPA16N50C3
33 parâmetros
DI (T=100°C)
10A
DI (T=25°C)
16A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.25 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
560V
C (pol.)
1600pF
Custo)
800pF
Diodo Trr (mín.)
420 ns
Função
Capacidade excepcional de dv/dt
IDss (min)
0.1uA
Id(im)
48A
Marcação na caixa
16N50C3
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
34W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
capacités effectives ultra faibles
Td(desligado)
50 ns
Td(ligado)
10 ns
Tecnologia
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.9V
Vgs(th) mín.
2.1V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies