Transistor de canal N SPA08N80C3, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.56 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1100pF. Custo): 46pF. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Função: Capacidade extrema de corrente de alto pico com classificação dv/dt. IDss (min): 20uA. Id(im): 24A. Marcação na caixa: 08N60C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER trafnsistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30