Transistor de canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V

Transistor de canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.32€
5-24
2.02€
25-49
1.82€
50+
1.65€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 81

Transistor de canal N SPA04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.95 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3-1. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 13.5A. Marcação na caixa: 04N60C3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
SPA04N60C3
32 parâmetros
DI (T=100°C)
2.8A
DI (T=25°C)
4.5A
Idss (máx.)
50uA
On-resistência Rds On
0.95 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP-3-1
Tensão Vds(máx.)
650V
C (pol.)
490pF
Custo)
160pF
Diodo Trr (mín.)
300 ns
Função
Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability
IDss (min)
0.5uA
Id(im)
13.5A
Marcação na caixa
04N60C3
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
Pacote totalmente isolado (2500VAC/1 minuto)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
31W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Capacidade excepcional de dv/dt
Td(desligado)
58.5 ns
Td(ligado)
6 ns
Tecnologia
Cool MOS™ Power Transistor
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2.1V
Produto original do fabricante
Infineon Technologies

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