Transistor de canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Transistor de canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
7.06€
5-9
6.42€
10-24
5.66€
25+
5.35€
Quantidade em estoque: 93

Transistor de canal N SKW20N60, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1100pF. Corrente do coletor: 40A. Custo): 107pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Diodo de germânio: -. Função: S-IGBT rápido em tecnologia NPT. Ic(pulso): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 179W. RoHS: sim. Spec info: K20N60. Td(desligado): 445 ns. Td(ligado): 36ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40

Documentação técnica (PDF)
SKW20N60
25 parâmetros
Ic(T=100°C)
20A
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247 ( AC )
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
C (pol.)
1100pF
Corrente do coletor
40A
Custo)
107pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
300 ns
Função
S-IGBT rápido em tecnologia NPT
Ic(pulso)
80A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
179W
RoHS
sim
Spec info
K20N60
Td(desligado)
445 ns
Td(ligado)
36ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.4V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
3V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
5V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
Infineon Technologies