Transistor de canal N SKM400GB126D, 330A, outro, outro, 1200V

Transistor de canal N SKM400GB126D, 330A, outro, outro, 1200V

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1-3
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4-7
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Transistor de canal N SKM400GB126D, 330A, outro, outro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Carcaça: outro. Habitação (conforme ficha técnica): outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 23.1pF. Corrente do coletor: 470A. Custo): 1.9pF. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: IGBT de alta potência. Ic(pulso): 600A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 7. RoHS: sim. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 330 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.15V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Semikron. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:42

SKM400GB126D
26 parâmetros
Ic(T=100°C)
330A
Carcaça
outro
Habitação (conforme ficha técnica)
outro
Tensão do coletor/emissor Vceo
1200V
C (pol.)
23.1pF
Corrente do coletor
470A
Custo)
1.9pF
Dimensões
106.4x61.4x30.5mm
Diodo CE
sim
Diodo de germânio
não
Função
IGBT de alta potência
Ic(pulso)
600A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
7
RoHS
sim
Spec info
IFSM--2200Ap (t=10ms)
Td(desligado)
650 ns
Td(ligado)
330 ns
Temperatura operacional
-40...+125°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.7V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
2.15V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
5V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
6.5V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
Semikron