Transistor de canal N SKM100GAR123D, 90A, outro, outro, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Carcaça: outro. Habitação (conforme ficha técnica): outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 5000pF. Corrente do coletor: 100A. Custo): 720pF. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: IGBT de alta potência. Ic(pulso): 150A. Montagem/instalação: -. Nota: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Número de terminais: 7. RoHS: sim. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(desligado): 450 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Semikron. Quantidade em estoque atualizada em 29/09/2025, 21:55