Transistor de canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

Transistor de canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.07€
5-49
1.71€
50-99
1.53€
100+
1.34€
Quantidade em estoque: 89

Transistor de canal N SIR474DP, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0075 Ohms. Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 985pF. Custo): 205pF. Diodo Trr (mín.): 14 ns. Função: Interruptor do lado alto. IDss (min): 1uA. Id(im): 50A. Marcação na caixa: 196k Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 29.8W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
SIR474DP
30 parâmetros
DI (T=100°C)
12A
DI (T=25°C)
15A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.0075 Ohms
Carcaça
PowerPAK SO-8
Habitação (conforme ficha técnica)
PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
985pF
Custo)
205pF
Diodo Trr (mín.)
14 ns
Função
Interruptor do lado alto
IDss (min)
1uA
Id(im)
50A
Marcação na caixa
196k Ohms
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Pd (dissipação de energia, máx.)
29.8W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
19 ns
Td(ligado)
14 ns
Tecnologia
TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Vishay