Transistor de canal N SI4946EY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 4.5A. Marcação do fabricante: SI4946EY-T1-E3. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:22