Transistor de canal N SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 12.4A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 0.0074 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 2000pF. Custo): 260pF. Diodo Trr (mín.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 50A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30