Transistor de canal N SI4480EY, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 20uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 80V. Função: Power MOSFET. IDss (min): 1uA. Id(im): 40Ap. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: -. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30