Transistor de canal N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 12V. C (pol.): 12350pF. Custo): 2775pF. Diodo Trr (mín.): 84 ns. Função: Power MOSFET. IDss (min): 1uA. Id(im): 70A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 7.8W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Id--40...50A t=10s with FR4 board. Td(desligado): 240 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30