Transistor de canal N SI4410BDY-E3, SO8, MS-012, 30 v. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 7.5A. Marcação do fabricante: SI4410BDY. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06