Transistor de canal N SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.66W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 2.3A. Marcação do fabricante: L8. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:45