Transistor de canal N SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Transistor de canal N SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.75€
5-29
5.23€
30-59
4.67€
60+
4.22€
Quantidade em estoque: 44

Transistor de canal N SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1970pF. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 48A. Custo): 310pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Diodo de germânio: não. Função: IGBT de alta velocidade. Ic(pulso): 90A. Marcação na caixa: G30N60RUFD. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. RoHS: sim. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40

Documentação técnica (PDF)
SGH30N60RUFD
28 parâmetros
Ic(T=100°C)
30A
Carcaça
TO-3PN ( 2-16C1B )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PN
Tensão do coletor/emissor Vceo
600V
C (pol.)
1970pF
Condicionamento
tubo de plástico
Corrente do coletor
48A
Custo)
310pF
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
50 ns
Diodo de germânio
não
Função
IGBT de alta velocidade
Ic(pulso)
90A
Marcação na caixa
G30N60RUFD
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
235W
RoHS
sim
Spec info
Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed)
Td(desligado)
54 ns
Td(ligado)
30 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
2.2V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
5V
Tensão porta/emissor VGE
20V
Tipo de canal
N
Unidade de condicionamento
30
Produto original do fabricante
Fairchild