Transistor de canal N RSS100N03, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.0125 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: Transistor N MOSFET. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30