Transistor de canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

Transistor de canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V

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Transistor de canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. C (pol.): 1830pF. Custo): 410pF. Função: comutação de energia, conversores DC/DC, inversores. Id(im): 35A. Marcação na caixa: TB. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
RSS095N05
27 parâmetros
DI (T=25°C)
9.5A
Idss (máx.)
1uA
On-resistência Rds On
0.011 Ohms
Carcaça
SO
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Tensão Vds(máx.)
45V
C (pol.)
1830pF
Custo)
410pF
Função
comutação de energia, conversores DC/DC, inversores
Id(im)
35A
Marcação na caixa
TB
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Pd (dissipação de energia, máx.)
2W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
78 ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
MOSFET N-ch de unidade 4V
Temperatura
+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
ROHM