Transistor de canal N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Transistor de canal N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.76€
5-49
0.60€
50-99
0.50€
100+
0.43€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 960

Transistor de canal N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 115mA. Idss (máx.): 115mA. On-resistência Rds On: 7.5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 25pF. Custo): 10pF. Função: Interface e comutação. Id(im): 0.8A. Marcação na caixa: RKM. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Silicon N-channel MOSFET. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ROHM. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30

Documentação técnica (PDF)
RK7002
27 parâmetros
DI (T=25°C)
115mA
Idss (máx.)
115mA
On-resistência Rds On
7.5 Ohms
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
25pF
Custo)
10pF
Função
Interface e comutação
Id(im)
0.8A
Marcação na caixa
RKM
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.2W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
Silicon N-channel MOSFET
Temperatura operacional
-...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
ROHM

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