Transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 360V. C (pol.): 85pF. Corrente do coletor: 30A. Custo): 40pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Função: IGBT. Ic(pulso): 250A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: 150ns, 30W, 40A. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 40 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40