Transistor de canal N RJK5010, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. Condicionamento: tubo de plástico. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Produto original do fabricante: Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30