Transistor de canal N RJH30H2DPK-M0, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. C (pol.): 1200pF. Compatibilidade: Samsung PS42C450B1WXXU. Corrente do coletor: 35A. Custo): 80pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Diodo de germânio: não. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Ic(pulso): 250A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: trr 0.06us. Td(desligado): 0.06 ns. Td(ligado): 0.02 ns. Tecnologia: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35