Transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V

Transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V

Quantidade
Preço unitário
1-4
15.88€
5-9
14.98€
10-24
13.05€
25+
12.00€
Quantidade em estoque: 23

Transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PSG. Tensão do coletor/emissor Vceo: 330V. Corrente do coletor: 35A. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Diodo de germânio: -. Ic(pulso): 250A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: trr 0.06us. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Renesas Technology. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:35

Documentação técnica (PDF)
RJH3077DPK
21 parâmetros
Carcaça
TO-3PN ( 2-16C1B )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PSG
Tensão do coletor/emissor Vceo
330V
Corrente do coletor
35A
Diodo CE
sim
Diodo Trr (mín.)
23 ns
Ic(pulso)
250A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
60W
RoHS
sim
Spec info
trr 0.06us
Td(desligado)
60 ns
Td(ligado)
20 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.5V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
2.5V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
5V
Tensão porta/emissor VGE
30 v
Tipo de canal
N
Produto original do fabricante
Renesas Technology