Transistor de canal N RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 52A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. C (pol.): 2250pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2250pF. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 70A. Custo): 792pF. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 70A. IDss (min): 1uA. Marcação do fabricante: RFP70N06. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Modelo PSPICE® com compensação de temperatura. Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: MegaFET process, Power MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30